Infineon HEXFET IRFH3702TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 42 A 2,8 W, 8-Pin PQFN 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 915-4995
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH3702TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Zwischensumme (1 Packung mit 40 Stück)*
19,88 €
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 40 - 360 | 0,497 € | 19,88 € |
| 400 - 1960 | 0,317 € | 12,68 € |
| 2000 - 3960 | 0,262 € | 10,48 € |
| 4000 - 9960 | 0,249 € | 9,96 € |
| 10000 + | 0,237 € | 9,48 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 915-4995
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH3702TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 42 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | PQFN 3 x 3 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11,8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.35V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.35V | |
| Verlustleistung max. | 2,8 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 3mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9,6 nC @ 4,5 V | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | HEXFET | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 42 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße PQFN 3 x 3 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 11,8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.35V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.35V | ||
Verlustleistung max. 2,8 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 3mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9,6 nC @ 4,5 V | ||
Höhe 0.95mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie HEXFET | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||