Infineon HEXFET IRFHM8329TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 33 W, 8-Pin PQFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
915-5001
Herst. Teile-Nr.:
IRFHM8329TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

57 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

PQFN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

8,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

33 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

3.2mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

26 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3.2mm

Diodendurchschlagsspannung

1V

Höhe

1.05mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C