Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
915-5017
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3607TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

140 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

56 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

7.49mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C