Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 51 A 80 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

51 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

13,9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

80 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

11.3mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

29 nC @ 10 V

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.83mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V