Infineon HEXFET IRLR6225TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 A 63 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
915-5102
Herst. Teile-Nr.:
IRLR6225TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

63 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

7.49mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.73mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

48 nC @ 4,5 V

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

HEXFET