Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 130 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
915-5109
Herst. Teile-Nr.:
IRLR3114ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

130 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

140 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

7.49mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

40 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V