Infineon HEXFET IRLZ44ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 51 A 80 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
915-5121
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ44ZSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

51 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

13,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

80 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

24 nC @ 5 V

Breite

11.3mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C