Microchip 2N7008-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 230 mA 1 W, 3-Pin TO-92

Der Microchip 2N7008 ist ein Anreicherungstyptransistor (normalerweise aus), der eine vertikale DMOS-Struktur verwendet. Das Design kombiniert die Strombelastbarkeit eines bipolaren Transistors mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizient von MOS-Geräten.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderungen an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige C_ISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Der N-Kanal-Anreicherungs-Modus-Transistor Microchip 2N7008 (normalerweise aus) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Diese Kombination erzeugt ein Gerät mit den Leistungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Geräten inhärent sind. Dieses Gerät ist frei von thermischem Durchschlag und thermisch induzierter sekundärer Zersetzung. Die vertikalen DMOS FETs sind ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Frei von Blei (Pb)

MOSFET-Transistoren, Microchip