Teile-Nr.

Microchip Einfach DN2625 N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 250 V Entleerung / 1.1 A, 8-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 916-3725P
Herst. Teile-Nr.:: DN2625DK6-G
Marke:: Microchip

Microchip Einfach DN2625 N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 250 V Entleerung / 1.1 A, 8-Pin DFN

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Herst. Teile-Nr.:: DN2625DK6-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	DFN
	Serie	DN2625
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.5Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	7.04nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	0.85mm
	Länge	5.1mm
	Breite	5.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Microchip
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße DFN
	Serie DN2625
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.04nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 0.85mm
	Länge 5.1mm
	Breite 5.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Automobilstandard Nein

DN2625 N-Kanal-MOSFET-Transistoren

Der Microchip DN2625 ist ein Verarmungstyp-MOSFET-Transistor (normalerweise ein), der eine erweiterte vertikale DMOS-Struktur verwendet. Das Design kombiniert die Strombelastbarkeit eines bipolaren Transistors mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizient von MOS-Geräten.

Merkmale

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Entwickelt für Quellenantrieb

Niedrige Schaltverluste

Niedrige effektive Ausgangskapazität

Entwickelt für induktive Lasten

MOSFET-Transistoren, Microchip

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