IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
917-1426
Herst. Teile-Nr.:
IXFH60N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET, X2-Class

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

52 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.7V

Verlustleistung max.

780 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

108 nC @ 10 V

Länge

16.13mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

21.34mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Höhe

5.21mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Niedriger R- und Q-Wert

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Gehäuseinduktivität

Vorteile

Hohe Leistungsdichte

Einfache Montage

Platzsparend

Anwendungsbereich

Schalt- und Resonanznetzteile

DC/DC-Wandler

PFC-Stromkreise

Gleich- und Wechselstrom-Motorantriebe

Robotik und Servosteuerung