IXYS HiperFET, X2-Class IXFH80N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 80 A 890 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 917-1439
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH80N65X2
- Marke:
- IXYS
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH80N65X2
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 38 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.7V | |
| Verlustleistung max. | 890 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 21.34mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V | |
| Serie | HiperFET, X2-Class | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 38 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.7V | ||
Verlustleistung max. 890 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 140 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 21.34mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.4V | ||
Serie HiperFET, X2-Class | ||
Höhe 5.21mm | ||
Niedriger RDS(ON) und Qg
Fast-Body-Diode
dv/dt Robustheit
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach internationaler Norm
Resonanznetzteile
Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge)
AC- und DC-Motorantriebe
DC/DC-Konverter
Robotik und Servosteuerung
Akkuladegeräte
3-stufige Solarwechselrichter
LED-Beleuchtung
Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs)
Höhere Effizienz
Hohe Leistungsdichte
Einfache Montage
Platzersparnis