IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 kW, 3-Pin UM-264P

Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

UM-264P

Serie

HiperFET, X2-Class

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

24 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.7V

Verlustleistung max.

1,25 kW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

26.3mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

240 nC @ 10 V

Länge

20.3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Höhe

5.3mm