IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 390 W, 3-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
917-1460
Herst. Teile-Nr.:
IXFH22N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

22 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET, X2-Class

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

145 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.7V

Verlustleistung max.

390 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

21.45mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

16.24mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

37 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

5.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V