IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 180 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 917-1505
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTP12N65X2
- Marke:
- IXYS
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 917-1505
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTP12N65X2
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Serie | X2-Class | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 300 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 180 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17,7 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.66mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 16mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Serie X2-Class | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 300 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 180 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17,7 nC @ 10 V | ||
Länge 10.66mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 16mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.4V | ||
- Ursprungsland:
- US