IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 180 W, 3-Pin TO-220AB

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
917-1505
Herst. Teile-Nr.:
IXTP12N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

X2-Class

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

300 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

180 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17,7 nC @ 10 V

Breite

16mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.66mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
US