onsemi NDS356AP P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,1 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
917-5554
Herst. Teile-Nr.:
NDS356AP
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

1,1 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOT-23

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

400 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

500 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

1.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

3,4 nC @ 5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

2.92mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.94mm

Die on Semiconductor NDS356AP ist ein P-Kanal Logikebenen-Anreicherungs-Modus, Power Field Effect Transistoren werden durch DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell auf die Minimierung des Durchlasswiderstands zugeschnitten. Diese Geräte sind besonders geeignet für Niederspannungsanwendungen wie Notebook-Computer-Stromüberwachungsgeräte, tragbare Elektronik und andere Batterie-betriebene Stromkreise, bei denen schnelles Schalten auf der Hochspannungsseite und geringer Leistungsverlust in der Leitung erforderlich sind.

Außergewöhnlicher Widerstand im eingeschalteten Zustand und maximale DC-Strombelastbarkeit
SOT-23-SMD-Gehäuse nach Industriestandard