HEXFET IRLML6402TRPBF P-Kanal MOSFET, 20 V / 3,7 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 919-4722
  • Herst. Teile-Nr. IRLML6402TRPBF
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: PH
Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 3,7 A
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 65 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V
Verlustleistung max. 1,3 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Serie HEXFET
Höhe 1.02mm
Länge 3.04mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 1.4mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8 nC @ 5 V
90000 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
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Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 6000
0,084 €
252,00 €
9000 +
0,073 €
219,00 €
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