Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 74 A 200 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4772
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF4905PBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
71,40 €
(ohne MwSt.)
84,95 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 22.550 Einheit(en) mit Versand ab 13. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,428 € | 71,40 € |
| 100 - 200 | 1,357 € | 67,85 € |
| 250 - 450 | 1,30 € | 65,00 € |
| 500 - 950 | 1,214 € | 60,70 € |
| 1000 + | 1,142 € | 57,10 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4772
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF4905PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.69mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.69mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 74A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRF4905PBF
Dieser MOSFET bietet eine vielseitige Lösung für das Power-Management in verschiedenen industriellen Anwendungen. Es ist auf hohe Effizienz und Zuverlässigkeit ausgelegt und daher für Fachleute in der Elektronik- und Elektrobranche unerlässlich. Mit seinen robusten Leistungsmerkmalen verbessert dieses Produkt das Schaltungsdesign und gewährleistet einen optimalen Betrieb in schwierigen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Hohe Dauerstrombelastbarkeit von 74 A unterstützt anspruchsvolle Anwendungen
• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V ermöglicht effektives Power-Management
• Niedriger Einschaltwiderstand von 20 mΩ verbessert die Energieeffizienz
• Entwickelt als Anreicherungs-MOSFET für präzise Steuerung
• Verwendet ein TO-220AB-Gehäuse für einfache Montage und Integration
Anwendungsbereich
• Einsatz in DC-DC-Wandlern zur effizienten Leistungsumwandlung
• Ideal für die Motorsteuerung die eine umfangreiche laufende Verwaltung erfordern
• Einsatz in Stromversorgungen für rationellen Betrieb
• Geeignet für Wärmemanagement in Umgebungen mit hoher Belastung
• Einsatz in Automatisierungssystemen für zuverlässiges Schalten
Wie wirkt sich der niedrige Einschaltwiderstand auf das Schaltungsdesign aus?
Der verringerte Einschaltwiderstand minimiert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert die Gesamtenergieeffizienz und Leistung, was bei Hochstromanwendungen von entscheidender Bedeutung ist.
Welche Bedeutung hat die Verwendung eines TO-220AB-Gehäuses?
Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung und ist gleichzeitig einfach zu installieren, was es zu einer bevorzugten Wahl für industrielle Anwendungen macht.
Kann diese Komponente mit hohen Temperaturen umgehen?
Ja, es arbeitet effektiv bei Temperaturen bis zu +175°C und ist für harte Anwendungen geeignet.
Für welche Art von Anwendungen ist der hohe kontinuierliche Drainstrom dieses MOSFETs erforderlich?
Der hohe kontinuierliche Drainstrom eignet sich für Anwendungen wie Motorantriebe, Stromrichter und andere Systeme, die eine robuste Leistungsaufnahme erfordern.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenwertspannung auf die Leistung aus?
Eine Gate-Schwellenspannung von 2V bis 4V sorgt für ein zuverlässiges Schaltverhalten und trägt zu einer präzisen Steuerung in verschiedenen elektronischen Schaltungen bei.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET P-Kanal8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-220