Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 53 A 107 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 919-4848
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ46NPBF
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 50 | 0,974 € | 48,70 € |
| 100 - 200 | 0,76 € | 38,00 € |
| 250 - 450 | 0,711 € | 35,55 € |
| 500 - 1200 | 0,663 € | 33,15 € |
| 1250 + | 0,614 € | 30,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4848
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- IRFZ46NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 53 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 17 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 107 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.54mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.69mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 53 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 17 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 107 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.54mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 72 nC @ 10 V | ||
Breite 4.69mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Höhe 8.77mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 53A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 107W maximale Verlustleistung - IRFZ46NPBF
Dieser MOSFET ist für hocheffiziente Anwendungen in der Automatisierung und Elektronik unerlässlich. Er verwaltet effektiv hohe Ströme und Spannungen und ist daher in verschiedenen industriellen Umgebungen einsetzbar. Sein fortschrittliches Design unterstützt den zuverlässigen Betrieb bei extremen Temperaturen und erfüllt verschiedene elektronische Anforderungen bei gleichzeitiger Vereinfachung des Schaltungsdesigns.
Eigenschaften und Vorteile
• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von 53 A für anspruchsvolle Lasten
• Maximale Verlustleistung von 107 W für effektives Wärmemanagement
• Niedriger Einschaltwiderstand von 17 mΩ, Verbesserung der Effizienz
• Das Design des Enhancement-Modus ermöglicht eine vielseitige Anwendung
• Definierte Schwellwertspannungsspezifikationen gewährleisten eine präzise Steuerung
Anwendungsbereich
• Energieumwandlung in industriellen Automatisierungssystemen
• Motorsteuerung und Steuerkreise
• Energiemanagementsysteme für energieeffiziente Designs
• Implementierung in Schaltnetzteilen für Konsistenz
• Elektronisches Schalten die eine rasche Reaktion erfordern
Kann es bei hohen Temperaturen arbeiten?
Ja, es arbeitet effizient bei Temperaturen von bis zu +175°C.
Welchen Strom kann er bei hohen Temperaturen verarbeiten?
Bei 100°C kann er einen kontinuierlichen Drainstrom von 37A sicher bewältigen.
Wie kann ich bei der Installation eine optimale Wärmeleistung sicherstellen?
Die Verwendung eines TO-220AB-Gehäuses mit angemessener Wärmeableitung kann den Wärmewiderstand effektiv minimieren und die Leistung sicherstellen.
Was sind die Spezifikationen für die Gate-Schwellenspannung?
Die Gate-Schwellenspannung ist für eine genaue Betriebssteuerung auf einen Bereich zwischen 2 V und 4 V festgelegt.
Ist es für den Einsatz in Netzteilen geeignet?
Ja, er ist in Schaltnetzteilen aufgrund seiner schnellen Schaltfähigkeit und seines geringen Einschaltwiderstands wirksam.