Infineon HEXFET IRFP044NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 53 A 120 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 919-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP044NPBF
- Marke:
- Infineon
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Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,856 € | 21,40 € |
| 50 - 100 | 0,65 € | 16,25 € |
| 125 + | 0,585 € | 14,63 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP044NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 53 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 20 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 120 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 15.9mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| Breite | 5.3mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 53 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 20 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 120 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 15.9mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 61 nC @ 10 V | ||
Breite 5.3mm | ||
Serie HEXFET | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 20.3mm | ||
- Ursprungsland:
- MX