Teile-Nr.

Infineon HEXFET IRF7343PBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A; 4,7 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 919-4933
Herst. Teile-Nr.:: IRF7343PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF7343PBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A; 4,7 A 2 W, 8-Pin SOIC

Nicht verfügbar

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RS Best.-Nr.:: 919-4933
Herst. Teile-Nr.:: IRF7343PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	N, P
	Dauer-Drainstrom max.	3,4 A; 4,7 A
	Drain-Source-Spannung max.	55 V
	Gehäusegröße	SOIC
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	50 mΩ, 105 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	1V
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	2 W
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Länge	5mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	24 nC @ 10 V, 26 nC @ 10 V
	Transistor-Werkstoff	Si
	Breite	4mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Serie	HEXFET
	Höhe	1.5mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ N, P
	Dauer-Drainstrom max. 3,4 A; 4,7 A
	Drain-Source-Spannung max. 55 V
	Gehäusegröße SOIC
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 50 mΩ, 105 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 1V
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 2 W
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Länge 5mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 24 nC @ 10 V, 26 nC @ 10 V
	Transistor-Werkstoff Si
	Breite 4mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Serie HEXFET
	Höhe 1.5mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Ursprungsland:: TH