IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 625 W, 4-Pin SOT-227

Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)*

201,38 €

(ohne MwSt.)

239,64 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Auf Lager
  • Zusätzlich 270 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
10 +20,138 €201,38 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
920-0767
Herst. Teile-Nr.:
IXFN48N60P
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

140mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

25.42 mm

Länge

38.23mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.6mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links

Recently viewed