IXYS HiperFET, Polar IXFN64N50P N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 61 A 700 W, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 920-0789
Herst. Teile-Nr.:: IXFN64N50P
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar IXFN64N50P N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 61 A 700 W, 4-Pin SOT-227

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	61 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	SOT-227
Serie	HiperFET, Polar
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	85 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5.5V
Verlustleistung max.	700 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	150 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	25.42mm
Länge	38.23mm
Höhe	9.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

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Herst. Teile-Nr.:: IXFN64N50P
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IXYS HiperFET, Polar IXFN64N50P N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 61 A 700 W, 4-Pin SOT-227

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