IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin TO-264
- RS Best.-Nr.:
- 920-0990
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK80N60P3
- Marke:
- IXYS
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 16,818 € | 420,45 € |
| 125 - 225 | 15,12 € | 378,00 € |
| 250 + | 13,859 € | 346,48 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 920-0990
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK80N60P3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Gehäusegröße | TO-264 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Verlustleistung max. | 1,3 kW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 19.96mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| Breite | 5.13mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 26.16mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Gehäusegröße TO-264 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 70 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Verlustleistung max. 1,3 kW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 19.96mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 190 nC @ 10 V | ||
Breite 5.13mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 26.16mm | ||
- Ursprungsland:
- US