STMicroelectronics STripFET II STD25NF10T4 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
920-6563
Herst. Teile-Nr.:
STD25NF10T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

38 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

100 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.2mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

55 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

STripFET II

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics