STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 6.5 A 160 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 920-6579
- Herst. Teile-Nr.:
- STP8NK100Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
144,00 €
(ohne MwSt.)
171,50 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,88 € | 144,00 € |
| 100 - 450 | 2,298 € | 114,90 € |
| 500 - 950 | 2,051 € | 102,55 € |
| 1000 - 4950 | 1,731 € | 86,55 € |
| 5000 + | 1,659 € | 82,95 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 920-6579
- Herst. Teile-Nr.:
- STP8NK100Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.85Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.85Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.15mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 6.5 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 8 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 2.5 A 25 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 2.1 A 70 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.3 A 30 W, 3-Pin TO-220