STMicroelectronics STripFET STD5N20LT4 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5 A 33 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
920-6660
Herst. Teile-Nr.:
STD5N20LT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

700 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

33 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5 nC bei 5 V

Breite

6.2mm

Länge

6.6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

STripFET

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics