MDmesh, SuperMESH STP10NK60ZFP N-Kanal MOSFET, 600 V / 10 A, 35 W, TO-220FP 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 10 A
Drain-Source-Spannung max. 600 V
Gehäusegröße TO-220FP
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 750 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 35 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs 50 nC @ 10 V
Höhe 9.3mm
Breite 4.6mm
Transistor-Werkstoff Si
Länge 10.4mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Serie MDmesh, SuperMESH
850 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer Stange von 50)
2,091
(ohne MwSt.)
2,426
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50
2,091 €
104,55 €
100 - 150
1,673 €
83,65 €
200 - 450
1,566 €
78,30 €
500 - 950
1,458 €
72,90 €
1000 +
1,219 €
60,95 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.