STMicroelectronics STripFET II STD12NF06LT4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
920-8755
Herst. Teile-Nr.:
STD12NF06LT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

100 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

30 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Länge

6.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,5 nC bei 5 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

6.2mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

STripFET II

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics