onsemi MCH3333A-TL-W P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 900 mW, 3-Pin MCPH3
- RS Best.-Nr.:
- 920-9798
- Herst. Teile-Nr.:
- MCH3333A-TL-W
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- MCH3333A-TL-W
- Marke:
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | MCPH3 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 430 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 900 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,8 nC @ 4 V | |
| Länge | 2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.6mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Höhe | 0.83mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße MCPH3 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 430 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 900 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,8 nC @ 4 V | ||
Länge 2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.6mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
Höhe 0.83mm | ||