DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 10,5 A 2 W, 8-Pin POWERDI3333
- RS Best.-Nr.:
- 921-1127
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN7022LFG-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
10,28 €
(ohne MwSt.)
12,24 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,514 € | 10,28 € |
| 100 - 480 | 0,315 € | 6,30 € |
| 500 - 980 | 0,284 € | 5,68 € |
| 1000 - 2480 | 0,253 € | 5,06 € |
| 2500 + | 0,222 € | 4,44 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 921-1127
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN7022LFG-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 75 V | |
| Gehäusegröße | POWERDI3333 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 28 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3.35mm | |
| Breite | 3.35mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 56,5 nC bei 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.72V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 75 V | ||
Gehäusegröße POWERDI3333 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 28 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3.35mm | ||
Breite 3.35mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 56,5 nC bei 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.72V | ||