onsemi Intelligentes Leistungsmodull 3-phasig NFAM5065L4B 650 V, 100 A, 20 kHz, DIP, 39-Pin, 450 V, AC-Induktionsmotor,
- RS Best.-Nr.:
- 195-8974
- Herst. Teile-Nr.:
- NFAM5065L4B
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Intelligentes Leistungsmodull | |
| Motortyp | AC-Induktionsmotor, Gleichstrommotor | |
| Konfiguration | 3-phasig | |
| IGBT Kollectorstrom max. | 100A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | DIP | |
| Pinanzahl | 39 | |
| Ausgangsstrom | 50A | |
| Maximale Versorgungsspannung | 450V | |
| Minimale Versorgungsspannung | -0.3V | |
| Schaltfrequenz typ. | 20kHz | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 54.4mm | |
| Höhe | 13.2mm | |
| Serie | NFAM5065L4B | |
| Breite | 31.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Versorgungsstrom | 6mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Intelligentes Leistungsmodull | ||
Motortyp AC-Induktionsmotor, Gleichstrommotor | ||
Konfiguration 3-phasig | ||
IGBT Kollectorstrom max. 100A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße DIP | ||
Pinanzahl 39 | ||
Ausgangsstrom 50A | ||
Maximale Versorgungsspannung 450V | ||
Minimale Versorgungsspannung -0.3V | ||
Schaltfrequenz typ. 20kHz | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 54.4mm | ||
Höhe 13.2mm | ||
Serie NFAM5065L4B | ||
Breite 31.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Versorgungsstrom 6mA | ||
Das on Semiconductor Intelligent 100A-Leistungsmodul ist ein vollständig integriertes Wechselrichter-Leistungsmodul mit einem unabhängigen High-Side-Gate-Treiber, LVIC, sechs IGBT, geeignet für den Antrieb von Permanentmagnet-Synchronmotoren, bürstenlosen DC-(BLDC)-Motoren und AC-Asynchronmotoren. In diesem Gerät sind IGBT in einer dreiphasigen Brücke mit separaten Emitteranschlüssen für die unteren Beine für maximale Flexibilität bei der Auswahl des Steuerungsalgorithmus konfiguriert.
Dreiphasiges 650-V-, 50-A-IGBT-Modul mit unabhängigen Treibern
Aktive Logikschnittstelle
Integrierter Unterspannungsschutz
Integrierte Bootstrap-Dioden und -Widerstände trennen niederspannungsseitige IGBT-Emitteranschlüsse für die individuelle Stromerfassung jeder Phase
Temperatursensor (VTS)
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