STMicroelectronics 8 Leistungsschalter-IC High-Side High-Side 24-Pin 4 Ausg. PowerSSO-24
- RS Best.-Nr.:
- 151-504
- Herst. Teile-Nr.:
- VNI4140KTR-32
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Topologie des Netzschalters | High-Side | |
| Schaltertyp | High-Side | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Anzahl der Eingänge | 8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | PowerSSO-24 | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 36V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Betriebsstrom | 1A | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Topologie des Netzschalters High-Side | ||
Schaltertyp High-Side | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Anzahl der Eingänge 8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße PowerSSO-24 | ||
Pinanzahl 24 | ||
Maximale Versorgungsspannung 36V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Betriebsstrom 1A | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Das Halbleiterrelais von STMicroelectronics ist ein monolithisches Gerät, das mit der VIPower-Technologie entwickelt wurde. In einem Überlastzustand überhitzt es sich und schaltet sich automatisch AUS und wieder ein, um seine Anschlusstemperatur zwischen TTSD und TR aufrechtzuerhalten. Wenn diese Bedingung dazu führt, dass die Gehäusetemperatur TCSD erreicht, wird der überlastete Kanal AUSgeschaltet und startet erst wieder, wenn die Gehäusetemperatur auf TCR gesunken ist. Im Falle von mehr als einem überlasteten Kanal erfolgt der Neustart der überlasteten Kanäle nicht gleichzeitig, um einen hohen Spitzenstrom aus der Versorgung zu vermeiden.
Kurzschlussschutz pro Kanal
Übertemperaturschutz pro Kanal
Thermischer Schutz des Gehäuses
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