STMicroelectronics STDRIVEG611 4 Leistungsschalter-IC High-Side High-Side 3.7 Ω 18-Pin 3 Ausg. QFN
- RS Best.-Nr.:
- 330-242
- Herst. Teile-Nr.:
- STDRIVEG611QTR
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Schaltertyp | High-Side | |
| Topologie des Netzschalters | High-Side | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 3.7Ω | |
| Anzahl der Eingänge | 4 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 0.3V | |
| Gehäusegröße | QFN | |
| Pinanzahl | 18 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 21V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Betriebsstrom | 3.5mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | STDRIVEG611 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Schaltertyp High-Side | ||
Topologie des Netzschalters High-Side | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 3.7Ω | ||
Anzahl der Eingänge 4 | ||
Minimale Versorgungsspannung 0.3V | ||
Gehäusegröße QFN | ||
Pinanzahl 18 | ||
Maximale Versorgungsspannung 21V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Betriebsstrom 3.5mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie STDRIVEG611 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der STMicroelectronics Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Halbbrücken-Gate-Treiber für GaN-Leistungsschalter ist ein Hochspannungs-Halbbrücken-Gate-Treiber für N-Kanal-GaN im Enhancement Mode. Der High-Side-Treiberteil ist für eine Schienenspannung von bis zu 600 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden. Durch die hohe Strombelastbarkeit, die kurze Ausbreitungsverzögerung mit hervorragender Verzögerungsanpassung und die integrierten LDOs ist der STDRIVEG611 für die Ansteuerung von Hochgeschwindigkeits-GaN optimiert.
High-Side- und Low-Side-Linearregler für 6 V Gate-Treiberspannung
Schnelle High-Side-Anlaufzeit 5 μs
45 ns Laufzeitverzögerung 15 ns minimaler Ausgangsimpuls
Hohe Schaltfrequenz (größer als 1 MHz)
Eingebettete 600-V-Bootstrap-Diode
Volle Unterstützung des GaN-Hard-Switching-Betriebs
Komparator zur Überstromerkennung mit Smart Shutdown
UVLO-Funktion für VCC, VHS und VLS
Getrennte Logikeingänge und Shutdown-Pin
Fault-Pin für Überstrom-, Übertemperatur- und UVLO-Meldungen
Stand-by-Funktion für niedrigen Verbrauch
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