ROHM BM3G005MUV-LB Leistungsschalter-IC High-Side High-Side 50 mΩ 46-Pin VQFN046V8080

Die ROHM GaN HEMT Power Stage ist ein Hochleistungsprodukt, das für den Markt für industrielle Geräte entwickelt wurde und eine optimale Lösung für Elektroniksysteme bietet, die eine hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern. Durch die Integration des 650-V-Verbesserungs-GaN-HEMT- und Siliziumtreibers in das Originalgehäuse von ROHM reduziert das Produkt die parasitäre Induktivität, die durch die Leiterplatten- und Drahtbindung verursacht wird, im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen erheblich. Diese Innovation ermöglicht eine hohe Schaltdrehzahl von bis zu 150 V/ns und ist damit die ideale Wahl für Anwendungen, die ein schnelles Schalten und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.

Niedriger VDD-Ruhestrom und Betriebsstrom