onsemi NCP435 Power Switch IC Hochspannungsseite Hochspannungsseite 120mΩ 1-Kanal 3,6 V max.
- RS Best.-Nr.:
- 161-2596
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP435FCT2G
- Marke:
- ON Semiconductor
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- 161-2596
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP435FCT2G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Netzschalter-Typ | Hochspannungsseite | |
| Topologie des Netzschalters | Hochspannungsseite | |
| Einschaltwiderstand | 120mΩ | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | WLCSP | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur max. | 125 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Abmessungen | 0.96 x 0.96 x 0.33mm | |
| Serie | NCP435 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Netzschalter-Typ Hochspannungsseite | ||
Topologie des Netzschalters Hochspannungsseite | ||
Einschaltwiderstand 120mΩ | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße WLCSP | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur max. 125 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Abmessungen 0.96 x 0.96 x 0.33mm | ||
Serie NCP435 | ||
Das NCP434 und das NCP435 sind sehr niedrige Ron-MOSFET, die über einen externen Logik-Pin gesteuert werden und die Optimierung der Batterielebensdauer und die Autonomie tragbarer Geräte ermöglichen. Dank einer Stromverbrauchsoptimierung mit PMOS-Struktur werden Leckströme eliminiert, indem angeschlossene ICs auf der Batterie isoliert werden, wenn sie nicht verwendet werden. Der Ausgangsentladungspfad ist in der Version NCP435 verfügbar.
1,2 V–3,6 V Betriebsbereich29 m Ohm RDSON bei 3,3 VGleichstrom bis zu 2 AAutomatische Entladung beim Ausgang (NCP435)WLCSP4 0,96 x 0,96 mmAnwendungsbereichSmartphonesComputerTabletsTragbare Geräte