Toshiba Power Switch IC Schalter Hochspannungsseite Hochspannungsseite 1.2Ω 40 V max. 8 Ausg.
- RS Best.-Nr.:
- 168-7439
- Herst. Teile-Nr.:
- TPD2005F(EL,F)
- Marke:
- Toshiba
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 168-7439
- Herst. Teile-Nr.:
- TPD2005F(EL,F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Netzschalter-Typ | Schalter Hochspannungsseite | |
| Topologie des Netzschalters | Hochspannungsseite | |
| Einschaltwiderstand | 1.2Ω | |
| Arbeitsspannnung max. | 40 V | |
| Anzahl der Ausgänge | 8 | |
| Nennleistung | 1.2W | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SSOP | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Abmessungen | 13.5 x 6 x 1.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Netzschalter-Typ Schalter Hochspannungsseite | ||
Topologie des Netzschalters Hochspannungsseite | ||
Einschaltwiderstand 1.2Ω | ||
Arbeitsspannnung max. 40 V | ||
Anzahl der Ausgänge 8 | ||
Nennleistung 1.2W | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SSOP | ||
Pinanzahl 24 | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Abmessungen 13.5 x 6 x 1.4mm | ||
- Ursprungsland:
- JP
Intelligente Leistungsschalter (IPDs), Toshiba
Der TPD1030F ist ein 2-in-1-Schalter für die Niederspannungsseite
Der TPD2005F ist ein 8-Kanal-Array für die Hochspannungsseite
Der TPD2007F ist ein 8-Kanal-Array für die Niederspannungsseite
Schaltanwendungen für Motoren, Magnete und Lampentreiber
Netz- und Lastschalter, Toshiba
Integrierte intelligente Leistungsschaltkreise für die Hochspannungs- und Niederspannungsseite mit vielen Schutzfunktionen wie zum Beispiel Überstrom, Überspannung, Kurzschluss, offener Stromkreis , Überhitzung und Umpolen der Versorgungsspannung. Diese sehr integrierten Geräte nutzen MOSFET-Transistoren mit geringem Widerstand, um Verluste zu minimieren und einen hohen Wirkungsgrad zu garantieren.