Nexperia PBLS Power Switch IC Schalter Hochspannungsseite Hochspannungsseite 2-Kanal 60 V max.

PNP-Transistor mit niedriger VCEsat und Breakthrough In Small Signal (BISS) und widerstandbestückter NPN-Transistor (RET) in einem kleinen SOT457 (SC-74) SMD-Kunststoffgehäuse.

Niedriger VCEsat-Transistor und RET in kleinem SMD-Kunststoffgehäuse
Platzsparende Lösung, die den Schaltungsaufbau vereinfacht, Reduktion von Bauteilen von vier auf eines
VCEO von 15 V bis 60 V, mit vier Widerstandswerten erhältlich
Weniger Lötpunkte für erhöhte Zuverlässigkeit
Strombelastbarkeit bis zu:
IC: 1,8 A bei 20 V
IC: 1,5 A bei 60 V
Verringert die Bestückungskosten
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Niedrige Schwellenspannung (<1 V) im Vergleich zu MOSFET
Typische Anwendungsbereiche
Netzleitungsschalter
Akkuladegerätschalter
Schalter für die High-Side für LEDs, Treiber und Hintergrundbeleuchtung
Tragbare Geräte
DC/DC-Umwandlung mit mittlerer Leistung