onsemi Power Switch IC Strommodul 1 Ausg.

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RS Best.-Nr.:
172-3298
Herst. Teile-Nr.:
NXH80B120H2Q0SG
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Netzschalter-Typ

Strommodul

Anzahl der Ausgänge

1

Nennleistung

103mW

Montage-Typ

Schraubmontage

Gehäusegröße

Q0BOOST

Pinanzahl

22

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Abmessungen

66.2 x 32.8 x 16.05mm

Das NXH80B120L2Q0SG ist ein Versorgungsmodul einschließlich zweifacher Boost-Stufe bestehend aus zwei 40 A / 1200 V IGBTs, zwei 15 A / 1200 V SiC-Dioden und zwei 25 A / 1600 V antiparallelen Dioden für die IGBTs. Zwei zusätzliche 25 A / 1600 V Bypass-Gleichrichter zur Begrenzung des Einschaltstroms sind enthalten. Einen integrierter Heißleiter ist enthalten.

IGBT-Spezifikationen: VCE(SAT) = 2,2 V, ESW = 2180 uJ
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
25 A / 1600 V Bypass- und antiparallele Dioden
Bypass-Dioden mit niedriger Durchlassspannung für ausgezeichneten Wirkungsgrad im Bypass-Modus
SiC-Gleichrichter, technische Daten: VF = 1,4 V
SiC-Diode für hohe Schaltgeschwindigkeit
Lötbare Stifte
Einfache Montage
Zweifach-Boost 40 A / 1200 V IGBT + SiC-Gleichrichter-Hybridmodul
Thermistor
Anwendungsbereich
Solarwechselrichter-Boost-Stufe
Solarwechselrichter
UPS