ROHM IPS Leistungsschalter-IC Netzschalter, Hochspannungsseite High-Side 500 mΩ 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 184-8250P
- Herst. Teile-Nr.:
- BV1HD090FJ-CE2
- Marke:
- ROHM
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- BV1HD090FJ-CE2
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Topologie des Netzschalters | High-Side | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Schaltertyp | Netzschalter, Hochspannungsseite | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 500mΩ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 36V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Betriebsstrom | 5.5A | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | IPS | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Topologie des Netzschalters High-Side | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Schaltertyp Netzschalter, Hochspannungsseite | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 500mΩ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Pinanzahl 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 36V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Betriebsstrom 5.5A | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie IPS | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
BV1HD090FJ-C ist ein 1-Kanal-IC für Kfz-Schalter auf der Hochdruckseite, der über einen integrierten Überstrombegrenzungskreis (OCP), einen thermischen Abschaltkreis (TSD), eine OLD-Funktion (Open Load Detection) und eine UVLO-Funktion (Undervoltage Lockout Function) verfügt. Er ist auch mit dem Diagnoseausgang ausgestattet, wenn ein Fehler (ST) erkannt wird.
Integrierter Überstrombegrenzungskreis (OCP)
Integrierter thermischer Abschaltungsstromkreis (TSD)
Integrierte Funktion zur Erkennung von offenen Lasten (am Ausgang AUS)
Direkte Steuerung über CMOS-Logik-IC usw.
aktiviert. Integrierte Sperrfunktion bei Unterspannung
Integrierter Ausgangs-State-Pin
On-Resistance RON = 90 mΩ (typ.) (VBB = 14 V, Tj = 25 °C, IOUT = 0,5 A)
Monolithischer Power-Management-IC mit Steuerblock (CMOS) und Leistungs-MOS-FET auf einem einzigen Chip montiert
Ermöglicht den Betrieb bei niedriger Spannung bis 4,2 V