STMicroelectronics L6598 1 Leistungsschalter-IC MOSFET Halbbrücke 150 Ω 16-Pin 1 Ausg. SON
- RS Best.-Nr.:
- 188-8277
- Herst. Teile-Nr.:
- L6598D013TR
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 188-8277
- Herst. Teile-Nr.:
- L6598D013TR
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Schaltertyp | MOSFET | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Topologie des Netzschalters | Halbbrücke | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 150Ω | |
| Anzahl der Eingänge | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1V | |
| Gehäusegröße | SON | |
| Maximale Versorgungsspannung | 11.4V | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Betriebsstrom | 3mA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.64mm | |
| Länge | 10mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | L6598 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Schaltertyp MOSFET | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Topologie des Netzschalters Halbbrücke | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 150Ω | ||
Anzahl der Eingänge 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Minimale Versorgungsspannung 1V | ||
Gehäusegröße SON | ||
Maximale Versorgungsspannung 11.4V | ||
Pinanzahl 16 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Betriebsstrom 3mA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.64mm | ||
Länge 10mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie L6598 | ||
Das L6598-Gerät wird mit der BCD-Offline-Technologie hergestellt und kann Nennspannungen von bis zu 600 V gewährleisten, wodurch es sich perfekt für AC/DC-Adapter eignet und wo immer eine resonante Topologie vorteilhaft sein kann. Das Gerät ist für die Ansteuerung von zwei Leistungs-MOSFETs in der klassischen Halbbrückentopologie vorgesehen. Ein dedizierter Zeitabschnitt ermöglicht es dem Entwickler, Sanftanlaufzeit, Sanftanlauf und Mindestfrequenz einzustellen. Ein Fehlerverstärker wird zusammen mit den beiden Freigabeeingängen zur Verfügung gestellt. Darüber hinaus reduziert die integrierte Bootstrap-Diode und die Zenerklemmung an der Niederspannungsversorgung die in den Anwendungen benötigten externen Teile auf ein Minimum.
Hohe Versorgungsspannung bis zu 600 V
DV/dt-Immunität ±50 V/ns im gesamten Temperaturbereich
Treiberstrombelastbarkeit: 250 mA Quelle 450 mA Senke
Schaltzeiten 80/40 ns Anstieg/Abfall mit 1 NF Last
CMOS-Abschalteingang
Unterspannungsschutz
Sanftanlauf-Frequenz-Schaltzeitpunkt
Sense-Operationsverstärker für Regelung oder Schutzfunktionen im geschlossenen Regelkreis
Stromgesteuerter Oszillator mit hoher Genauigkeit
Integrierte Bootstrap-Diode
Klemmung an Vs
Erhältlich in DIP16- und SO16-Gehäusen
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