onsemi UAA2016 1 Leistungsschalter-IC High-Side High-Side 8-Pin 1 Ausg. SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 805-6751
- Herst. Teile-Nr.:
- UAA2016DG
- Marke:
- onsemi
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- 805-6751
- Herst. Teile-Nr.:
- UAA2016DG
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Schaltertyp | High-Side | |
| Topologie des Netzschalters | High-Side | |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | |
| Nennleistung | 625mW | |
| Anzahl der Eingänge | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Minimale Versorgungsspannung | -10V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | -8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Betriebstemperatur min. | -20°C | |
| Betriebsstrom | 0.9mA | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | European Standard (Load Switching) | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | UAA2016 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Schaltertyp High-Side | ||
Topologie des Netzschalters High-Side | ||
Anzahl der Ausgänge 1 | ||
Nennleistung 625mW | ||
Anzahl der Eingänge 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Minimale Versorgungsspannung -10V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung -8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Betriebstemperatur min. -20°C | ||
Betriebsstrom 0.9mA | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen European Standard (Load Switching) | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie UAA2016 | ||
Nullspannung-Schaltcontroller
Triac-Trigger-/Treiberschaltkreise mit Nullspannungsschaltung zur Erleichterung RFI-freier Regelung von ohmschen Lasten.
Die Anzahl der vollständigen Zyklen während fester Wiederholungsperioden (typischerweise 1 bis 10 Sekunden) ist unterschiedlich, sodass der Arbeitszyklus oder das Ein-/Ausschaltzeit-Verhältnis geändert wird. Triggerimpulse entsprechen den Null-Durchgangszeiten der Netzstromversorgung und stellen dadurch sicher, dass keine Hochfrequenzstörungen bei Verwendung ohmscher Lasten produziert werden.
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