MCP6V82-E/MS Microchip Operationsverstärker Durchsteckmontage 5000 kHz MSOP, biplor typ. 5.5 V, biplor typ. 2.2 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 649-406
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6V82-E/MS
- Marke:
- Microchip
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- 649-406
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- MCP6V82-E/MS
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | MSOP | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 5000kHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.2V | |
| Eingangsruhestrom | 2 pA | |
| Slew Rate | 4V/μs | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 9 μV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | MCP6V8 | |
| Ausgangsstrom | 15mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 100 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße MSOP | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 5000kHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.2V | ||
Eingangsruhestrom 2 pA | ||
Slew Rate 4V/μs | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 9 μV | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie MCP6V8 | ||
Ausgangsstrom 15mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 100 pA | ||
- Ursprungsland:
- TH
Die Operationsverstärker von Microchip bieten eine Eingangs-Offset-Spannungskorrektur für sehr geringen Offset und Offset-Drift. Diese Geräte bieten ein Verstärkungs-Bandbreiten-Produkt von 5 MHz, sind einheitsverstärkungsstabil, weisen kein 1/f-Rauschen auf und bieten eine hervorragende CMRR- und PSRR-Leistung. Diese Produkte arbeiten mit einer einzigen Versorgungsspannung von nur 2,2 V und einem maximalen Ruhestrom von nur 770 uA.
Null-Drift-Architektur
Maximale Abweichung von nur 9 uV
Maximale Offsetdrift von 20 nV/C
Kein 1/f-Rauschen
GBWP von 5 MHz
Verbesserte EMI-Unterdrückung
Kleine 2x3 TDFN- und MSOP-Gehäuse
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