Nisshinbo Micro Devices Operationsverstärker Oberfläche 4 MHz DIP-8, biplor typ. 18V, biplor typ. 4 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 803-195
- Herst. Teile-Nr.:
- NJM4565E-TE2
- Marke:
- Nisshinbo Micro Devices
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- RS Best.-Nr.:
- 803-195
- Herst. Teile-Nr.:
- NJM4565E-TE2
- Marke:
- Nisshinbo Micro Devices
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nisshinbo Micro Devices | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | DIP-8 | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 4MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 0.5 mV | |
| Slew Rate | 4V/μs | |
| Betriebstemperatur min. | -20°C | |
| Eingangsruhestrom | 50 nA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 75°C | |
| Serie | NJM4565 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Ausgangsstrom | 25mA | |
| Offset-Eingangsstrom | 2 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nisshinbo Micro Devices | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße DIP-8 | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 4MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 4V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 0.5 mV | ||
Slew Rate 4V/μs | ||
Betriebstemperatur min. -20°C | ||
Eingangsruhestrom 50 nA | ||
Maximale Betriebstemperatur 75°C | ||
Serie NJM4565 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Ausgangsstrom 25mA | ||
Offset-Eingangsstrom 2 nA | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der Operationsverstärker von Nisshinbo Micro Devices bietet eine hohe Verstärkung mit großer Bandbreite und wurde für die effektive Ansteuerung von Lasten entwickelt. Sein fortschrittliches Design sorgt für geringes Rauschen, was ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Audio- und Signalanwendungen macht.
Betriebsspannungsbereiche von ±4 V bis ±18 V
Lieferung eines breiten Verstärkungsbandbreitenprodukts von typischerweise 4 MHz
Typische Anstiegsrate von 4 V/μs verbessert das Einschwingverhalten
Erhältlich in verschiedenen Gehäuseformaten für vielseitige Integration
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