- RS Best.-Nr.:
- 125-0037
- Herst. Teile-Nr.:
- MC33272ADR2G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
2500 + | 0,238 € | 595,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 125-0037
- Herst. Teile-Nr.:
- MC33272ADR2G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Operationsverstärker MC33272A/74A, NCV33272A/74A, hohe Anstiegsgeschwindigkeit, niedrige Eingangs-Offset-Spannung, ON Semiconductor
Die Zweifach- und Vierfach-Operationsverstärker MC33272A/74A, NCV33272A/74A von ON Semiconductor verfügen über bipolare Eingänge sowie ein patentiertes Zip-R-Trim-Element zur Verringerung der Eingangs-Offset-Spannung. Sie haben eine niedrige Eingangs-Offset-Spannung und ein hohes Verstärkungs-Bandbreite-Produkt.
Zweifach-Dipol-Frequenzkompensation zur Steigerung der Anstiegsgeschwindigkeit bei gleichzeitig niedrigem Eingangsrauschen.
Ihre reine NPN-Ausgangsstufe zeigt keine Totband-Querverzerrung, ein hohes Spannungsschwingen am Ausgang und eine ausgezeichnete Phasen- und Verstärkungsreserve. Außerdem bietet sie eine niedrige Hochfrequenz-Ausgangsimpedanz bei offenem Kreis mit symmetrischer Quelle und einen Senkenbetrieb für AC-Frequenz.
Zweifach-Dipol-Frequenzkompensation zur Steigerung der Anstiegsgeschwindigkeit bei gleichzeitig niedrigem Eingangsrauschen.
Ihre reine NPN-Ausgangsstufe zeigt keine Totband-Querverzerrung, ein hohes Spannungsschwingen am Ausgang und eine ausgezeichnete Phasen- und Verstärkungsreserve. Außerdem bietet sie eine niedrige Hochfrequenz-Ausgangsimpedanz bei offenem Kreis mit symmetrischer Quelle und einen Senkenbetrieb für AC-Frequenz.
Eingangs-Offset-Spannung abgestimmt auf 100 μV (typisch)
Geringer Eingangsvorspannungsstrom: 300 nA
Geringer Eingangs-Offset-Strom: 3,0 nA
Hoher Eingangswiderstand: 16 MΩ
Geringes Rauschen: 18 nV/ (Quadratwurzel-Hz) @ 1 kHz
Hohes Verstärkungs-Bandbreite-Produkt: 24 MHz @ 100 kHz
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 10 V/μs
Geringer Eingangsvorspannungsstrom: 300 nA
Geringer Eingangs-Offset-Strom: 3,0 nA
Hoher Eingangswiderstand: 16 MΩ
Geringes Rauschen: 18 nV/ (Quadratwurzel-Hz) @ 1 kHz
Hohes Verstärkungs-Bandbreite-Produkt: 24 MHz @ 100 kHz
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 10 V/μs
Operationsverstärker, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Stromversorgungs-Typ | Dual, Single |
Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 |
Pinanzahl | 8 |
Versorgungsspannung einzeln typ. | 3 → 36 V |
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 24MHz |
Versorgungsspannung bipolar typ. | ±1.5 → ±18V |
Flankensteilheit typ. | 10V/µs |
Arbeitsfrequenz max. | 100 kHz |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Rail to Rail | Nein |
Spannungsverstärkung typ. | 100 dB |
Länge | 5mm |
Eingansspannungsrauschen typ. | 18nV/√Hz |
Abmessungen | 5 x 4 x 1.5mm |
Höhe | 1.5mm |
Breite | 4mm |
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