Texas Instruments Operationsverstärker Oberfläche 600 kHz SOIC, biplor typ. 22V, biplor typ. -22 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 162-5408
- Herst. Teile-Nr.:
- OP07DD
- Marke:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
- 162-5408
- Herst. Teile-Nr.:
- OP07DD
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 600kHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | -22V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 250 μV | |
| Slew Rate | 0.3V/μs | |
| Eingangsruhestrom | ±14 nA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Höhe | 1.58mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, REACH | |
| Länge | 4.9mm | |
| Serie | OP07 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 8 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 600kHz | ||
Minimale Versorgungsspannung -22V | ||
Maximale Versorgungsspannung 22V | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 250 μV | ||
Slew Rate 0.3V/μs | ||
Eingangsruhestrom ±14 nA | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Höhe 1.58mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, REACH | ||
Länge 4.9mm | ||
Serie OP07 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 8 nA | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
Präzisions-Operationsverstärker, Texas Instruments
Eine Serie von Präzisions-Operationsverstärkern von Texas Instruments, die niedrige Eingangs-Offsetspannung und geringe Offset-Spannungsabweichung mit Temperatur bieten. Diese Geräte weisen stabile und vorhersehbare Betriebseigenschaften auf, die in vielen anspruchsvollen Anwendungen unverzichtbar sind. Die Eingangstypen CMOS und JFET verfügen außerdem über extrem niedrige Eingangsruheströme, weshalb sie sich ideal für den Einsatz in Schaltkreisen eignen, für die hohe Widerstandswerte erforderlich sind.
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