onsemi Operationsverstärker Zwei Nutzungsmöglichkeiten SMD Push-Pull SOIC, einzeln typ. 44 V, biplor typ. ±22V, 16-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 184-1047
- Herst. Teile-Nr.:
- NE5517DG
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- 184-1047
- Herst. Teile-Nr.:
- NE5517DG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Verstärker-Typ | Zwei Nutzungsmöglichkeiten | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Stromversorgungs-Typ | Dual, Single | |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 44 V | |
| Ausgangs-Typ | Push-Pull | |
| Versorgungsspannung bipolar typ. | ±22V | |
| Flankensteilheit typ. | 50V/µs | |
| Arbeitsfrequenz max. | 20 kHz | |
| Betriebstemperatur max. | +70 °C | |
| Betriebstemperatur min. | 0 °C | |
| Offset Spannung | 5mV | |
| Eingangsspannung max. | 44 V, ±22 V | |
| Ausgangsstrom | 650 μA | |
| Länge | 10mm | |
| Abmessungen | 10 x 4 x 1.5mm | |
| Eingangsspannung Bereich | Max. ±22 V, Max. 44 V | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Verstärker-Typ Zwei Nutzungsmöglichkeiten | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Stromversorgungs-Typ Dual, Single | ||
Anzahl der Kanäle pro Chip 2 | ||
Pinanzahl 16 | ||
Versorgungsspannung einzeln typ. 44 V | ||
Ausgangs-Typ Push-Pull | ||
Versorgungsspannung bipolar typ. ±22V | ||
Flankensteilheit typ. 50V/µs | ||
Arbeitsfrequenz max. 20 kHz | ||
Betriebstemperatur max. +70 °C | ||
Betriebstemperatur min. 0 °C | ||
Offset Spannung 5mV | ||
Eingangsspannung max. 44 V, ±22 V | ||
Ausgangsstrom 650 μA | ||
Länge 10mm | ||
Abmessungen 10 x 4 x 1.5mm | ||
Eingangsspannung Bereich Max. ±22 V, Max. 44 V | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
Die Serien AU5517 und NE5517 enthalten zwei stromgesteuerte, betriebsbereite Transkonduktanzverstärker, jeweils mit einem Differenzialeingang und Push-Pull-Ausgang. Der AU5517/NE5517 bietet erhebliche Konstruktions- und Leistungsvorteile gegenüber ähnlichen Geräten für alle Arten von Anwendungen mit programmierbarer Verstärkung. Die Schaltungsleistung wird durch den Einsatz von Linearisierungsdioden an den Eingängen erhöht, die eine 10-dB-Signal-zu-Rausch-Verbesserung ermöglichen, bezogen auf 0,5 % THD. Der AU5517/NE5517 ist für eine Vielzahl von Industrie- und Verbraucheranwendungen geeignet. Konstantimpedanzpuffer auf dem Chip ermöglichen den allgemeinen Einsatz des AU5517/NE5517. Diese Puffer bestehen aus Darlington-Transistoren und einem Vorspannungsnetzwerk, das die Änderung der Offsetspannung aufgrund eines Bursts im Vorspannungsstrom IABC praktisch eliminiert und somit das hörbare Rauschen beseitigt, das sonst in hochwertigen Audioanwendungen zu hören wäre.
Puffer mit konstanter Impedanz
Delta VBE des Puffers ist konstant mit Verstärker Ivoras-Change
Ausgezeichnete Übereinstimmung zwischen Verstärkern
Linearisierungsdioden
Rauschabstand mit hoher Ausgangsleistung
Anwendungen:
Multiplexer
Zeitgeber
DelbyE HX-Systeme
Stromgesteuerte Verstärker, Filter
Stromgesteuerte Oszillatoren, Impedanzen
Delta VBE des Puffers ist konstant mit Verstärker Ivoras-Change
Ausgezeichnete Übereinstimmung zwischen Verstärkern
Linearisierungsdioden
Rauschabstand mit hoher Ausgangsleistung
Anwendungen:
Multiplexer
Zeitgeber
DelbyE HX-Systeme
Stromgesteuerte Verstärker, Filter
Stromgesteuerte Oszillatoren, Impedanzen
