ROHM Operationsverstärker CMOS SMD Swing HVSOF, einzeln typ. 2,4 → 5,5 V, 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 184-8710
- Herst. Teile-Nr.:
- BU7255HFV-TR
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- BU7255HFV-TR
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Verstärker-Typ | CMOS | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | HVSOF | |
| Stromversorgungs-Typ | Single | |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 2,4 → 5,5 V | |
| Ausgangs-Typ | Swing | |
| Flankensteilheit typ. | 3.4V/µs | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | 85 °C | |
| Offset Spannung | 9mV | |
| Ausgangsstrom | 4 mA (Quelle), 8 mA (Senke) | |
| Eingangsspannung max. | 5,5 V | |
| Spannungsverstärkung typ. | 105 dB | |
| Länge | 1.6mm | |
| Eingangsspannung min. | 2,4 V | |
| Höhe | 0.58mm | |
| Breite | 1.2mm | |
| Abmessungen | 1.6 x 1.2 x 0.58mm | |
| Eingangsspannung Bereich | 2,4 → 5,5 V | |
| Offset-Eingangsstrom | 1pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Verstärker-Typ CMOS | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße HVSOF | ||
Stromversorgungs-Typ Single | ||
Anzahl der Kanäle pro Chip 1 | ||
Pinanzahl 5 | ||
Versorgungsspannung einzeln typ. 2,4 → 5,5 V | ||
Ausgangs-Typ Swing | ||
Flankensteilheit typ. 3.4V/µs | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. 85 °C | ||
Offset Spannung 9mV | ||
Ausgangsstrom 4 mA (Quelle), 8 mA (Senke) | ||
Eingangsspannung max. 5,5 V | ||
Spannungsverstärkung typ. 105 dB | ||
Länge 1.6mm | ||
Eingangsspannung min. 2,4 V | ||
Höhe 0.58mm | ||
Breite 1.2mm | ||
Abmessungen 1.6 x 1.2 x 0.58mm | ||
Eingangsspannung Bereich 2,4 → 5,5 V | ||
Offset-Eingangsstrom 1pA | ||
Der schnelle Niederspannungs-CMOS-Operationsverstärker umfasst einen unabhängigen Ausgangs-Full-Swing-Operationsverstärker und Phasenkompensationskondensator auf einem einzigen Chip. Diese Serie ist besonders gut mit Niederspannung, niedrigem Versorgungsstrom hoher Geschwindigkeit und geringem Eingangsruhestrom betreibbar.
Niedrige Betriebsspannung
+2,4 [V] ～ +5,5 [V] (Einzelversorgung)
Hohe Signalspannungsverstärkung
Interner ESD-Schutz
Modell des menschlichen Körpers (HBM) ±4000 [V] (typ.)
Geringer Eingangsruhestrom 1 [pA] (typ.)
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit
3,4 [V/μs]
+2,4 [V] ～ +5,5 [V] (Einzelversorgung)
Hohe Signalspannungsverstärkung
Interner ESD-Schutz
Modell des menschlichen Körpers (HBM) ±4000 [V] (typ.)
Geringer Eingangsruhestrom 1 [pA] (typ.)
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit
3,4 [V/μs]