STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 4 MHz SO, biplor typ. 36 V, biplor typ. 6 V, 8-Pin AEC-Q100
- RS Best.-Nr.:
- 189-1926P
- Herst. Teile-Nr.:
- TL082BIYDT
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 189-1926P
- Herst. Teile-Nr.:
- TL082BIYDT
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SO | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 4MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 36V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 5 mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Eingangsruhestrom | 20 nA | |
| Slew Rate | 16V/μs | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4 mm | |
| Serie | TL082 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Ausgangsstrom | 60mA | |
| Offset-Eingangsstrom | 4 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SO | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 4MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 36V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 5 mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Eingangsruhestrom 20 nA | ||
Slew Rate 16V/μs | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4 mm | ||
Serie TL082 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Ausgangsstrom 60mA | ||
Offset-Eingangsstrom 4 nA | ||
- Ursprungsland:
- MA
Die Serien TL082, TL082A und TL082B sind Zweifach-Operationsverstärker mit Hochgeschwindigkeits-JFET-Eingang und gut aufeinander abgestimmten Hochspannungs-JFET- und bipolaren Transistoren in einer monolithischen integrierten Schaltung. Die Geräte verfügen über hohe Anstiegsraten, niedrige Eingangsvorspannung und Offset-Strom sowie einen niedrigen Offset-Spannungstemperaturkoeffizient.
Großer Gleichtaktbereich (bis zu VCC+) und differenzieller Spannungsbereich
Niedrige Eingangsvorspannung und Offsetstrom
Ausgangs-Kurzschlussschutz
JFET-Eingangsstufe mit hoher Eingangsimpedanz
Interne Frequenzkompensation
Latch-Up-freier Betrieb
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 16 V/μs (typisch)