Microchip Operationsverstärker Oberfläche 5 MHz SOT-23, biplor typ. 5.5V, biplor typ. 2.2 V, 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 215-5926
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6V86T-E/OT
- Marke:
- Microchip
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- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6V86T-E/OT
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 5MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.2V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 25 μV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Slew Rate | 4V/μs | |
| Eingangsruhestrom | 50 pA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.45mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | MCP6V86 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Ausgangsstrom | 30mA | |
| Offset-Eingangsstrom | 400 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 5 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 5MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.2V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 25 μV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Slew Rate 4V/μs | ||
Eingangsruhestrom 50 pA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.45mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie MCP6V86 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Ausgangsstrom 30mA | ||
Offset-Eingangsstrom 400 pA | ||
Die Microchip MCP6V86/6U/7/9-Familie von Operationsverstärkern bietet eine Eingangs-Offset-Spannungskorrektur für sehr geringe Offset- und Offset-Drift. Diese Bauelemente weisen eine stabile Transitfrequenz von 5 MHz auf und zeigen kein 1/f-Rauschen, eine hervorragende Gleichtaktunterdrückung (CMRR) und einen sehr niedrigen Versorgungsspannungsdurchgriff (PSRR). Diese Produkte arbeiten mit einer einzigen Versorgungsspannung von nur 2,2 V und einem maximalen Ruhestrom von nur 770 uA pro Kanal.
Zero-Drift-Architektur
Maximaler Versatz von nur 25 uV
Maximale Offset-Abweichung von 150 nV/C.
Verbesserte EMI-Unterdrückung
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