Microchip Oberfläche 5 MHz SC-70, biplor typ. 5.5V, biplor typ. 2.2 V, 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 215-5928
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6V86UT-E/LTY
- Marke:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 215-5928
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6V86UT-E/LTY
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt (GBP) | 5 MHz | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5 V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.2 V | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Höhe | 1.1 mm | |
| Eingangsruhestrom | 50 pA | |
| Offset-Eingangsstrom | 400 pA | |
| Länge | 2 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Ausgangsstrom | 30 mA | |
| Serie | MCP6V86 | |
| Slew Rate | 4 V/μs | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 25 μV | |
| Breite | 2.1 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Montageart Oberfläche | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt (GBP) 5 MHz | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5 V | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.2 V | ||
Pinanzahl 5 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Höhe 1.1 mm | ||
Eingangsruhestrom 50 pA | ||
Offset-Eingangsstrom 400 pA | ||
Länge 2 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 125 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Ausgangsstrom 30 mA | ||
Serie MCP6V86 | ||
Slew Rate 4 V/μs | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 25 μV | ||
Breite 2.1 mm | ||
The Microchip MCP6V86/6U/7/9 family of operational amplifiers provides input offset voltage correction for very low offset and offset drift. These devices provide a gain bandwidth product of 5 MHz, are unity gain stable, have no 1/f noise, and provide superior CMRR and PSRR performance. These products operate with a single supply voltage as low as 2.2V with a maximum quiescent current of only 770 uA per channel.
Zero-Drift architecture
Maximum offset of only 25 uV
Maximum offset drift of 150 nV/C
Enhanced EMI rejection
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